宝泉智捷 | MOSFET、SiC MOSFET、IGBT 与功率模块制造商

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专注高可靠功率半导体技术，赋能高效能电气时代

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专注于 IGBT、SiC、MOSFET 功率器件的研发与制造

我们研发与制造的功率半导体器件，产品涵盖 IGBT模块、FRD、SJ-IGBT、SGTMOS 以及碳化硅(SiC) 等系列

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专注于 IGBT、SiC、MOSFET 功率器件的研发与生产

关于我们

深圳宝泉智捷科技有限公司

深圳宝泉智捷科技有限公司是一家致力于功率半导体器件研发和生产的企业，产品涵盖IGBT、FRD、SJ-IGBT、SGTMOS及SiC等。公司掌握从NPT到第七代MPT沟槽单元的完整技术路线，具备高性能FRD的设计能力，以及全模块封装与测试能力。

技术团队来自国内外头部IDM公司，20多年深耕芯片的设计、晶圆工艺、模块封测设计，应用定义经验。团队成员均拥有数十项国内和国际专利。

所有晶圆和功率模块均由公司自主设计、制造、封装和测试。产品服务于中高端逆变器、特种电源、变频器及光伏系统等领域。

公司设计制造的器件在国内外已实现数亿元销售额。

: 3000㎡ 平方米工厂

: 100+ 员工

: 86% 出口国家

行业应用

从工业控制到新能源应用，宝泉智捷为您提供全面的功率器件解决方案

汽车电子 功率器件是决定新能源汽车性能的核心部件之一，主要应用于逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC变换器等。

家用电器 作为一家功率半导体研发制造商，我们提供全面的高性能，可靠的组件组合，以满足家用电器不断变化的需求。

工业应用 智能工业通过数字化、网络化和智能化技术重塑生产制造模式。

能源 能量可以进一步分为两大类：可再生能源和不可再生能源。可再生能源包括

新闻资讯

2025.10.30 碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）对比：碳化硅功率器件的关键优势

目录引言什么是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）？什么是硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）？碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）：主要区别碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的优势更高…

2025.10.30 核心技术优势

宽带隙（WBG）半导体——主要是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——在高功率、高温和高频应用中优于传统的硅（Si）半导体，解决了电力电子领域效率低下的问题。它们的主要优势在于更宽的带隙能量（GaN: 3.4 eV; SiC: 3.26 eV vs. Si: 1.12 eV），从而实现卓越的材料性能，转…