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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）应用于中高压电力系统，能够实现更高的开关频率，提升效率，同时减小系统尺寸并降低冗余需求。

我们的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管产品提供无与伦比的耐用性和性能，拥有广泛的解决方案，可降低系统成本、加快产品上市时间并降低风险。我们的解决方案具备超过100年的氧化层寿命和稳定的体二极管，同时具备一流的雪崩耐量、短路承受能力和中子敏感性，以提高系统可靠性和正常运行时间。

特点

高温运行（结温Tj = 175°C），在整个温度范围内导通电阻（RDS(on)）漂移小

行业领先的栅氧化层稳定性（阈值电压Vth漂移小于100毫伏）和栅氧化层寿命

雪崩（UIS）耐量高（大于100,000次脉冲）

短路耐受时间长

优势

更高的开关频率和效率

更高的功率密度

更强的耐用性

系统更小、更轻，无需碳化硅器件冗余

优化散热需求，降低系统成本

我们的优势

多个外延片供应源和双碳化硅晶圆厂确保长期供应

无与伦比的UIS雪崩额定值

最长的栅氧化层耐受时间

以客户需求为导向的产品淘汰管理方式